Công ty TNHH Kỹ thuật Năng lượng Mới Ninh Ba Dsola là nhà cung cấp hàng đầu các đầu nối điện chất lượng cao cho hệ thống năng lượng mặt trời. Đầu nối của chúng tôi được thiết kế để cung cấp kết nối đáng tin cậy và an toàn giữa các bộ phận, đồng thời chúng được chế tạo để chịu được các điều kiện thời tiết khắc nghiệt. Với hơn 10 năm kinh nghiệm trong ngành, chúng tôi cam kết mang đến cho khách hàng những sản phẩm và dịch vụ tốt nhất có thể. Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay tạidsolar123@hotmail.comđể tìm hiểu thêm về các sản phẩm của chúng tôi và cách chúng có thể giúp bạn xây dựng hệ thống năng lượng mặt trời tốt hơn.
B. K. Hegyi và G. A. J. Amaratunga, 2015, “Phát triển hệ thống cảm biến cách tử Bragg sợi để theo dõi biến dạng động trong mô-đun quang điện”, Tạp chí Vật lý Ứng dụng, 117(23).
I. Anterrieu và J. R. Dunlop, 2013, “Pin mặt trời tổn thất năng lượng thấp với khoảng cách dải được phân loại bằng cách sử dụng cải tiến mảng dây nano”, Tạp chí Vật lý Ứng dụng, 114(11).
K. H. Kato, S. R. Wenham và M. A. Green, 2012, “Cải thiện hiệu quả của pin mặt trời silicon đa tinh thể bằng cách thụ động hóa bề mặt bằng silicon dioxide và silicon nitride”, Thư Vật lý Ứng dụng, 100(5).
Q. Liu, K. Wang, S. Liu, C. Yu và N. Wang, 2013, “Các chấm lượng tử CuInS2 có thể điều chỉnh màu sắc phụ thuộc vào kích thước với năng suất lượng tử phát quang cao”, Thư Vật lý Ứng dụng, 103(22).
K. Nakayama, Y. Kato, K. Yamamoto và K. Hasebe, 2012, “Nghiên cứu ảnh hưởng của chiếu xạ proton lên pin mặt trời màng mỏng CIGS bằng phép đo điện dung”, Tạp chí Vật lý Ứng dụng Nhật Bản, 51(10).
A. K. Srivastava, 2013, “Sửa đổi điện cực dẫn trong suốt cho pin mặt trời”, Tạp chí Năng lượng tái tạo và bền vững, 5(3).
J. Wu, H. Pu, B. Zhao, Z. Liu và X. Gao, 2014, “Đặc điểm của pin mặt trời hữu cơ bán trong suốt dựa trên dẫn xuất poly(3-hexylthiophene) và fullerene”, Tạp chí Vật lý Ứng dụng, 116(15).
P. Xu, M. Tang và Y. Huang, 2011, “Nghiên cứu lý thuyết về pin mặt trời đa điểm nối hiệu suất cao với cấu trúc đảo ngược loại n”, Solid-State Electronics, 64(1).
S. Yang, P. Liu, W. Huang, X. Wang và H. Xie, 2013, “Nâng cao hiệu suất của pin mặt trời màng mỏng CdS/CdTe với lớp thụ động ZnTe được lắng đọng bằng quá trình thăng hoa khoảng cách gần”, Tạp chí Vật lý Ứng dụng , 114(14).
M. C. Zielonka, A. Polity, H. Soltwedel, L. Korte và B. Rech, 2012, “Tối ưu hóa màng mỏng ZnO:Al cho pin mặt trời màng mỏng silicon”, Tạp chí Vật lý Ứng dụng, 111(12).
Z. Zhu, Z. Shi, X. He, Q. Zhao và H. Li, 2012, “Chế tạo và mô tả đặc tính của cực quang dựa trên titan dioxide cho các ứng dụng pin mặt trời nhạy cảm với chấm lượng tử”, Tạp chí Vật lý Ứng dụng, 112( 9).